- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON4421采用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷条件下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 具备ESD保护
- 绿色产品
应用领域
- 电源管理开关