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AOTF266L
1个N沟道 耐压:60V
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- 描述
- 采用独特优化的沟槽式MOSFET技术，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)、输入电容Ciss和输出电容Coss的组合，使传导和开关功率损耗降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF266L
- 商品编号
- C6500763
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.65nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
优惠活动
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