AOWF11S65
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOWF11S65
- 商品编号
- C6500769
- 商品封装
- TO-262F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 399mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 646pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该器件是采用STripFET F6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新型沟槽栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 低栅极电荷
- 极低的导通电阻
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用
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