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AOD1N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:1.3A
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- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在在常见的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低RDS(ON)、CDS和CRSS以及有保证的雪崩能力，这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD1N60
- 商品编号
- C6500726
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.462克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V,0.65A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF@25V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 1.5 V 栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 88.4 mΩ（最大值）（VGS = -1.5 V 时）
- RDS(ON) = 56.0 mΩ（最大值）（VGS = -1.8 V 时）
- RDS(ON) = 39.7 mΩ（最大值）（VGS = -2.5 V 时）
- RDS(ON) = 29.8 mΩ（最大值）（VGS = -4.5 V 时）
应用领域
- 电源管理开关