APT10021JLL
1个N沟道 耐压:1kV 电流:37A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT10021JLL
- 商品编号
- C6466132
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V,18.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 694W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 395nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.75nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- Power MOS V® 功率MOSFET
- 低导通电阻（RDSon）
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征二极管
- 额定雪崩能量
- 高耐用性
- ISOTOP封装（SOT - 227）
- 极低杂散电感
- 高集成度
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关模式电源
- 功率因数校正
- 制动开关