APT22F100J
1个N沟道 耐压:1kV 电流:23A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT22F100J
- 商品编号
- C6466147
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 545W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 305nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.835nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
功率MOS是一款高速、高压N沟道开关模式功率MOSFET。此“快速恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)”版本的漏源(体)二极管经过优化,通过降低反向恢复时间(trr)、实现软恢复以及具备高恢复dv/dt能力,在零电压开关(ZVS)移相桥和其他电路中实现了高可靠性。低栅极电荷、高增益以及大幅降低的Crss/Ciss比值,使其具备出色的抗噪能力和低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt,即使在非常高的频率下进行开关操作,也能实现低电磁干扰(EMI)和可靠的并联。
商品特性
-快速开关且电磁干扰低-低trr,可靠性高-超低Crss,抗噪能力增强-低栅极电荷-有雪崩能量额定值-符合RoHS标准
应用领域
- 零电压开关(ZVS)移相桥及其他全桥电路
- 半桥电路
- 功率因数校正(PFC)及其他升压转换器
- 降压转换器
- 单开关和双开关正激电路
- 反激电路