APT8020B2LLG
1个N沟道 耐压:800V 电流:38A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT8020B2LLG
- 商品编号
- C6466157
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 694W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.2nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW20S60和AOWF20S60采用先进的αMOS高压工艺制造，该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷（Qg）和低输出电容储能（EOSS），并保证了雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更高的功率耗散
- 更低的米勒电容
- 更易于驱动
- 更低的栅极电荷Qg
- 采用流行的T-MAXTM或TO - 264封装
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