商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14.4nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
AOT7N60和AOTF7N60采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。 这些器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和低反向传输电容（Crss），并保证了雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
商品特性
- 功率半导体
- 超低导通电阻(RDS(on))
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 极低杂散电感
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 高度集成
应用领域
- 交流和直流电机控制
- 开关电源
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