APT20M22JVRU2
1个N沟道 耐压:200V 电流:97A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT20M22JVRU2
- 商品编号
- C6466146
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V,48.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 290nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
Power MOS V 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术将 JFET 效应降至最低，提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 100% 雪崩测试
- 低泄漏电流
- 常用 SOT - 227 封装
- 更快的开关速度