APT17F120J
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:18A
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT17F120J
- 商品编号
- C6466140
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 545W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.67nF@1200V | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@1200V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
适用于2110 MHz至2170 MHz频率基站应用的250 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻，提供出色的热稳定性
- 低记忆效应设计，具备出色的预失真能力
- 内部匹配，使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 适用于2110 MHz至2170 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器