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AOD3N50
1个N沟道 耐压:500V
- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在在常见的AC-DC应用中提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），以及有保证的雪崩能力，这些产品可以快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD3N50
- 商品编号
- C6465401
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 331pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF@25V | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 31.4pF |
商品概述
AOT414采用SDMOS沟槽技术制造，该技术将出色的RDS(ON)与低栅极电荷相结合。其结果是在可控的开关特性下实现卓越的效率。这种通用技术非常适合PWM、负载开关和通用应用。AOT414和AOT414L在电气性能上完全相同。