AOW20S60
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOW20S60
- 商品编号
- C6465451
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 199mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 266W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.038nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW20S60和AOWF20S60采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具备低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容储能(EOSS),并保证了雪崩能力,可快速应用于新的和现有的离线式电源设计中。
商品特性
- 更高的正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 常用的SOT - 227封装
- 更高的功率耗散
- 有安全工作区（SOA）额定值
- 符合RoHS标准
- 获得UL认证