AOW20S60
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 199mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 266W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.038nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
线性MOSFET针对在直流条件下（>100毫秒）可能同时出现高电压和大电流的线性区域工作的应用进行了优化。
商品特性
- 更高的正向偏置安全工作区（FBSOA）
- 常用的SOT - 227封装
- 更高的功率耗散
- 有安全工作区（SOA）额定值
- 符合RoHS标准
- 获得UL认证