AOW25S65
1个N沟道 耐压:650V 电流:25A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOW25S65
- 商品编号
- C6465453
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.278nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW25S65和AOWF25S65采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高水平的性能和稳定性。通过提供低导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷(Qg)和低输出电容储能(EOSS),以及保证的雪崩能力,这些器件能够迅速应用于新的和现有的离线电源设计中。
应用领域
- 高频开关和同步整流
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