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AOTF10N50FD
1个N沟道 耐压:500V 电流:10A
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- 描述
- 采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为流行的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。通过提供低导通电阻（RDS(on)）、低输入电容（Ciss）和保证的雪崩能力，该产品可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOTF10N50FD
- 商品编号
- C6465433
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代N沟道增强型MOSFET旨在将导通电阻RDS(ON)降至最低，同时保持卓越的开关性能。该器件非常适合用于电源管理和负载开关。
商品特性
- 额定温度可达+175°C，适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位感性开关（UIS）测试，确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，可将导通状态损耗降至最低
- 可焊侧翼，便于光学检测
- 无铅镀层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，环保型器件
应用领域
- 电机控制
- DC-DC转换器
- 电源管理