AOV15S60
1个N沟道 耐压:600V 电流:520mA 电流:12A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOV15S60
- 商品编号
- C6465447
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 520mA；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 717pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOT12N50、AOB12N50和AOTF12N50采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的AC-DC应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低 RDS(on)、Ciss 和 Crss，并具备有保证的雪崩能力，可快速应用于新的和现有的离线电源设计中。