SIJ470DP-T1-GE3
SIJ470DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIJ470DP-T1-GE3
- 商品编号
- C6296677
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.1mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- ThunderFET 技术优化了漏源导通电阻 (RDS(on))、栅极电荷 (Qg)、开关电荷 (Qsw) 和输出电容电荷 (Qoss) 的平衡
- 经过 100% 栅极电阻 (Rg) 和非箝位电感开关 (UIS) 测试
应用领域
-初级侧开关-同步整流-直流/交流逆变器-LED 背光-大电流开关
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