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SQM200N04-1M7L_GE3实物图
  • SQM200N04-1M7L_GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQM200N04-1M7L_GE3

1个N沟道 耐压:40V 电流:200A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQM200N04-1M7L_GE3
商品编号
C6297744
商品封装
TO-263-7​
包装方式
编带
商品毛重
1.907克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))1.7mΩ@10V,30A
耗散功率(Pd)375W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)291nC@10V
输入电容(Ciss)11.168nF@20V
反向传输电容(Crss)1.16nF@20V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

数据手册PDF

交货周期

订货7-9个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

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