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SQJQ184E-T1_GE3实物图
  • SQJQ184E-T1_GE3商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SQJQ184E-T1_GE3

1个N沟道 耐压:80V 电流:430A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQJQ184E-T1_GE3
商品编号
C6297740
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)430A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)600W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)272nC@10V
输入电容(Ciss)16.01nF@25V
反向传输电容(Crss)130pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF

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