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SIRA28BDP-T1-GE3
SIRA28BDP-T1-GE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRA28BDP-T1-GE3
- 商品编号
- C6296767
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 582pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
LITTLE FOOT TSSOP-8功率MOSFET是对众多市场对更小封装持续需求的自然演进回应。与LITTLE FOOT SOIC封装器件相比，LITTLE FOOT TSSOP-8 MOSFET的占位面积更小、外形更低，同时保持低导通电阻rDS(on)和高散热性能。
商品特性
- TrenchFET® 第四代功率MOSFET
- 进行100% Rg和UIS测试
应用领域
- 高功率密度DC/DC
- 同步整流
- 电压调节模块(VRMs)和嵌入式DC/DC