温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQD40020EL_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET封装，热阻低。 100% Rg和UIS测试。 AEC-Q101合格
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD40020EL_GE3
- 商品编号
- C6297727
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.931nF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 笔记本电脑
- 负载点（POL）