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SIR692DP-T1-RE3
N沟道，250 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：ThunderFET技术优化了RDS(on)、Qg、Qsw和Qoss之间的平衡。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换器。 初级侧开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR692DP-T1-RE3
- 商品编号
- C6296761
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 63mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.405nF@125V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.3pF@125V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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