我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
SIHK075N60EF-T1GE3实物图
  • SIHK075N60EF-T1GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHK075N60EF-T1GE3

1个N沟道 耐压:600V 电流:33A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHK075N60EF-T1GE3
商品编号
C6296663
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)33A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)192W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)72nC@10V
输入电容(Ciss)2.954nF@100V
反向传输电容(Crss)5pF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 低品质因数(FOM)导通电阻(Ron)×栅极电荷(Qg)
  • 低输入电容(Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 超低栅极电荷(Qg)
  • 雪崩能量额定值(UIS)

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电(HID)灯
  • 荧光镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 可再生能源
  • 太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF