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SQ2318BES-T1_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:8A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ2318BES-T1_GE3
- 商品编号
- C6297695
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26.3mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 低品质因数（FOM）：R_on × Q_g
- 低输入电容（C_iss）
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷（Q_g）
- 雪崩能量额定（UIS）
应用领域
- 硬开关拓扑-功率因数校正电源(PFC)-开关模式电源(SMPS)-计算设备-电脑银盒/ATX电源-照明-两级LED照明