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SSM3K56FS,LF
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 描述
- 特性：1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 300mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 840mΩ（最大值）(@VGS = 1.5V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM3K56FS,LF
- 商品编号
- C6235357
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 235mΩ@4.5V,800mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 55pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 1.5V栅极驱动电压
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 240 mΩ（最大值）（@ VGS = -1.5 V）
- RDS(ON) = 168 mΩ（最大值）（在VGS = -1.8 V时）
- RDS(ON) = 123 mΩ（最大值）（在VGS = -2.5 V时）
- RDS(ON) = 93 mΩ（最大值）（在VGS = -4.5 V时）
应用领域
- 电源管理开关