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SSM6K504NU,LF
N沟道 30V
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 4.5V栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：ΔRDS(ON) = 26 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)；RDS(ON) = 19.5 mΩ (最大值) (@VGS = 10 V)。应用：高速开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K504NU,LF
- 商品编号
- C6235371
- 商品封装
- UDFNB-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
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