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SSM6K514NU,LF
1个N沟道 耐压:40V
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- 描述
- 特性：4.5V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 11.2mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 8.9mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。应用：电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6K514NU,LF
- 商品编号
- C6235373
- 商品封装
- UDFNB-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品特性
- 动态dv/dt额定值
- 重复雪崩额定
- 电流检测
- +175°C工作温度
- 快速开关
- 易于并联
- 简单的驱动要求
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