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SSM6H19NU,LF
1个N沟道 耐压:40V 电流:2A
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6H19NU,LF
- 商品编号
- C6235363
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF |
商品特性
- 单封装集成 N 沟道 MOSFET 和肖特基势垒二极管。
- MOSFET 特性:
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 160 mΩ(典型值)(@VGS = 3.6 V)
- 1.8 V 栅极驱动电压。
- 二极管特性:
- 低正向电压:VF = 0.51 V(典型值)(@IF = 500 mA)
应用领域
- DC-DC 转换器