SSM6J216FE,LF
1个P沟道 耐压:12V 电流:4.8A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J216FE,LF
- 商品编号
- C6235365
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF |
商品特性
- 1.5 V栅极驱动电压。
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 88.1 mΩ(最大值)(@ VGS = -1.5 V)
- RDS(ON) = 56.0 mΩ(最大值)(@ VGS = -1.8 V)
- RDS(ON) = 39.3 mΩ(最大值)(@ VGS = -2.5 V)
- RDS(ON) = 32.0 mΩ(最大值)(@ VGS = -4.5 V)
应用领域
- 电源管理开关