SSM6J771G,LF
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6J771G,LF
- 商品编号
- C6235369
- 商品封装
- UFBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@8.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF |
商品特性
- 高栅源电压(VGSS):± 12 V
- 高漏源电压(VDSS):-20 V
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 26 mΩ(典型值)(@ VGS = - 4.5 V,ID = - 3.0 A)
- RDS(ON) = 24 mΩ(典型值)(@ VGS = - 8.0 V,ID = - 3.0 A)
- RDS(ON) = 23 mΩ(典型值)(@ VGS = - 8.5 V,ID = - 3.0 A)
应用领域
- 电池场效应晶体管(BATFETs)
- 电源管理开关
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