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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJE8412_R1_00001

1个N沟道 耐压:30V 电流:350mA

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJE8412_R1_00001
商品编号
C6147594
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)350mA
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@4.5V
耗散功率(Pd)300mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V
栅极电荷量(Qg)870pC@4.5V
输入电容(Ciss)34pF@15V
反向传输电容(Crss)2.5pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源导通电阻(RDS(ON)):栅源电压(VGS)为 -10 V,漏极电流(ID)为 -3 A 时,小于 110 mΩ
  • 漏源导通电阻(RDS(ON)):栅源电压(VGS)为 -4.5 V,漏极电流(ID)为 -2 A 时,小于 150 mΩ
  • 开关速度快
  • 改善的 dv/dt 能力
  • 栅极电荷低
  • 反向传输电容低
  • 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
  • 符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物

数据手册PDF