PJP45N06A_T0_00001
1个N沟道 耐压:60V 电流:55A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJP45N06A_T0_00001
- 商品编号
- C6147621
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.256nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
NP33N06YDG是一款专为大电流开关应用设计的N沟道MOS场效应晶体管。
商品特性
- 最大漏源导通电阻RDS(on) = 14 mΩ（栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 16.5 A）
- 低导通电阻
- 低输入电容Ciss：典型值Ciss = 2600 pF（漏源电压VDS = 25 V，栅源电压VGS = 0 V）
- 逻辑电平驱动类型
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 小型8引脚HSON封装