PJQ5463A_R2_00001
1个P沟道 耐压:60V 电流:15A 电流:4A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ5463A_R2_00001
- 商品编号
- C6147637
- 商品封装
- DFN5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A；4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 879pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用最新沟槽9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计和认证，不仅满足AEC - Q101要求，还具备高性能和高可靠性。
商品特性
- 工作温度范围为 - 55 °C至 + 175 °C，适用于对散热要求高的环境
- 与D²PAK等旧款引线键合封装相比，设计的占位面积更小，功率密度更高，适用于当今空间受限的高功率汽车应用
- 薄型封装和铜夹使LFPAK88具有高效的散热性能
- 最大电流能力增强，电流分布出色
- 改善了导通电阻RDS(on)
- 源极电感低
- 热阻Rth低
- 引脚灵活，能吸收机械和热循环应力，实现高板级可靠性，这与传统QFN封装不同
- 可进行目视（AOI）焊接检查，无需昂贵的X射线设备
- 易于焊接，可形成良好的机械焊点
- 减小单元间距和采用超结平台，可在相同占位面积下降低导通电阻RDS(on)
- 与标准沟槽MOS相比，安全工作区（SOA）和雪崩能力得到改善
- 栅源阈值电压VGS(th)范围窄，便于MOSFET并联
应用领域
- 12 V汽车系统
- 48 V DC/DC系统（12 V次级侧）
- 更高功率的电机、灯具和电磁阀控制
- 反极性保护
- 超高性能功率开关