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PJQ4443P_R2_00001
1个P沟道 耐压:40V 电流:8.8A 电流:46A
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJQ4443P_R2_00001
- 商品编号
- C6147625
- 商品封装
- DFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A；8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W；59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.767nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):栅源电压(VGS)为 -10 V,漏极电流(ID)为 -10 A 时,小于 12 mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):栅源电压(VGS)为 -4.5 V,漏极电流(ID)为 -8 A 时,小于 17.5 mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 符合欧盟 RoHS 2.0 标准的无铅产品
- 采用符合 IEC 61249 标准的环保模塑化合物