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PJE8438_R1_00001

1个N沟道耐压:50V 电流:360mA

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品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJE8438_R1_00001
商品编号: C6147595
商品封装: SOT-523
包装方式: 编带
商品毛重: 0.026克(g)

商品参数

商品概述

CPC3708是一款N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），有SOT - 223封装（CPC3708Z）和SOT - 89封装（CPC3708C）两种封装形式。两者均采用专有的第三代垂直DMOS工艺，该工艺能在经济的硅栅工艺中实现高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺使器件具有高可靠性，尤其适用于电信、安防和电源等严苛的应用环境。 CPC3708Z和CPC3708C的典型导通电阻为8Ω，漏源电压为350V。与所有MOS器件一样，FET结构可防止热失控和热致二次击穿。

商品特性

当VGS为10V、ID为500mA时,RDS(ON)小于1.45Ω
当VGS为4.5V、ID为200mA时,RDS(ON)小于1.95Ω
当VGS为2.5V、ID为100mA时,RDS(ON)小于4.0Ω
当VGS为1.8V、ID为10mA时,RDS(ON)小于6.0Ω
先进沟槽工艺技术
静电放电保护2KV人体模型(HBM)
符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
符合IEC 61249标准的绿色模塑料

应用领域

LED驱动电路-电信-常开开关-点火模块-转换器-安防-电源-稳压器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	50V
	连续漏极电流(Id)	360mA
	导通电阻(RDS(on))	1.45Ω@10V
	耗散功率(Pd)	300mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	950pC@4.5V
	输入电容(Ciss)	36pF
	反向传输电容(Crss)	6.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃