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AOD256
1个N沟道 耐压:150V 电流:3A 19A
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- 描述
- 使用沟槽MOSFET技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss极低，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOD256
- 商品编号
- C6124225
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A；3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W；2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.165nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术
- 低 RDS(on)
- 逻辑电平驱动
- 出色的 QG RDS(ON)乘积（品质因数）
- 滑动优化工艺
- 符合RoHS标准且无卤素
应用领域
- 高频开关和同步整流