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BSZ123N08NS3G
1个N沟道 耐压:80V 电流:35A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ123N08NS3G
- 商品编号
- C672224
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 66W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对 DC/DC 转换器优化的技术
- 出色的栅极电荷与 RDS(on) 乘积（品质因数 FOM）
- 卓越的热阻性能
- N 沟道，正常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 针对目标应用通过 JEDEC 认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
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