7164S35DB

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 7164S35DB
商品编号: C6081962
商品封装: CDIP-28
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

IDT7164是一款65,536位的高速静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为8K x 8。它采用高性能、高可靠性的CMOS技术制造。可提供最快达20ns的地址访问时间，并且该电路具备低功耗待机模式。当CS1变为高电平或CS2变为低电平时，电路将自动进入并保持在低功耗待机模式。低功耗（L）版本还能在低至2V的电源电压下实现电池备份数据保存功能。 IDT7164的所有输入和输出均与TTL兼容，且仅需单5V电源供电，简化了系统设计。采用全静态异步电路，无需时钟或刷新操作。 IDT7164采用28引脚300密耳陶瓷双列直插封装（CERDIP）、28引脚600密耳陶瓷双列直插封装、300密耳塑料双列直插封装（DIP）和300密耳小外形J引脚封装（SOJ）。

商品特性

高速地址/芯片选择访问时间：
- 商用：20/25ns（最大值）
- 工业用：20/25ns（最大值）
- [待译]：20/25/35/45/55/70/85/100ns（最大值）
低功耗
电池备份操作 - 2V数据保存电压（仅L版本）
采用先进的CMOS高性能技术制造
输入和输出直接与TTL兼容
三态输出
提供28引脚双列直插封装（DIP）、陶瓷双列直插封装（CERDIP）和小外形J引脚封装（SOJ）
[待译]产品符合MIL-STD-883，B类标准
部分速度可选工业温度范围（-40°C ~ +85°C）
提供环保产品，详见订购信息

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	64Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V

	属性	参数值
	读写时间	35ns
	工作温度	-55℃~+125℃
	工作电流	100mA
	功能特性	自动掉电功能