71V3578S133PFI

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 71V3578S133PFI
商品编号: C6082387
商品封装: TQFP-100(14x14)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能

商品概述

IDT71V3576/78是高速静态随机存取存储器，组织架构分别为128K乘以36和256K乘以18。这些静态随机存取存储器包含写、数据、地址和控制寄存器。其内部逻辑允许静态随机存取存储器基于一个可延迟至写周期结束的决定来生成自定时写操作。突发模式特性为系统设计提供了高性能水平，该静态随机存取存储器可为呈现给它的单个地址提供四个周期的数据。内部突发地址计数器从处理器接收第一个周期地址，启动访问序列。第一个周期的输出数据将在下一个时钟上升沿可用之前被流水线处理一个周期。如果选择了突发模式操作，后续三个周期的输出数据将在接下来的三个时钟上升沿提供给用户。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。这些静态随机存取存储器采用标准14毫米乘以20毫米100引脚薄型塑料四侧扁平封装，以及119球栅阵列封装和165细间距球栅阵列封装。

商品特性

支持128K乘以36、256K乘以18的存储配置
支持高系统速度：150兆赫兹对应3.8纳秒时钟访问时间，133兆赫兹对应4.2纳秒时钟访问时间
LBO输入选择交错或线性突发模式
具有全局写控制、字节写使能和字节写功能的自定时写周期
3.3伏核心电源供电
通过ZZ输入控制掉电模式
3.3伏输入/输出
可选边界扫描JTAG接口
采用标准100引脚塑料薄型四侧扁平封装、119球栅阵列封装和165细间距球栅阵列封装

数据手册PDF

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