温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK065U65Z,RQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:38A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.051 Ω（典型值）。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式：Vth = 3 至 4V（VDS = 10V，ID = 1.69mA）。应用：开关电源
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK065U65Z,RQ
- 商品编号
- C5986392
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.051Ω(典型值)
- 具备低电容的高速开关特性。
- 增强型:Vth = 3至4 V(VDS = 10 V,ID = 1.69 mA)
应用领域
- 开关电源
- TK100E10N1,S1X
- TK10A50W,S5X
- TK10E60W,S1VX
- TK10Q60W,S1VQ
- TK110N65Z,S1F
- TK12V60W,LVQ
- TK14N65W,S1F
- TK16A60W5,S4VX
- TK16E60W5,S1VX
- TK18A50D(STA4,Q,M)
- TK1K9A60F,S4X
- TMM-108-01-F-S
- TMM-108-01-G-S-SM
- TMM-108-01-SM-D-SM
- TMM-108-01-T-D-RE
- TMM-108-01-T-D-SM
- TMM-108-02-S-D-016
- TMM-108-02-T-D
- TMM-108-05-S-D
- TMM-108-06-F-S
- TMM-109-01-F-D-RE