TK10Q60W,S1VQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:9.7A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10Q60W,S1VQ
- 商品编号
- C5986400
- 商品封装
- IPAK
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V,4.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@300V |
商品特性
- 高速开关
- 栅极电荷小：Q_SW = 21 nC（典型值）
- 输出电荷小：Q_oss = 74 nC（典型值）
- 漏源导通电阻低：RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 漏电流低： IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 100 V）
- 增强型：V_th = 1.5 至 2.5 V（VDS = 10 V， ID = 1 mA）
应用领域
- 高效 DC-DC 转换器
- 开关稳压器
- 电机驱动器
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