TK12V60W,LVQ
1个N沟道 耐压:600V 电流:11.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK12V60W,LVQ
- 商品编号
- C5986404
- 商品封装
- DFN-4-EP(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.361748克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.265 Ω(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.7至3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.6 mA)
应用领域
- 开关稳压器
- TK14N65W,S1F
- TK16A60W5,S4VX
- TK16E60W5,S1VX
- TK18A50D(STA4,Q,M)
- TK1K9A60F,S4X
- TK200F04N1L,LXGQ
- TK20V60W,LVQ
- TK28V65W5,LQ
- TK2Q60D(Q)
- TK31N60W5,S1VF
- TK3A65D(STA4,Q,M)
- TK3R2A08QM,S4X
- TMM-108-02-T-D
- TMM-108-05-S-D
- TMM-108-06-F-S
- TMM-109-01-F-D-RE
- TMM-109-01-T-D-SM
- TMM-109-04-F-D-SM
- TMM-109-04-G-S-SM
- TMM-109-04-L-D-007
- TMM-109-06-T-S-SM