TK2Q60D(Q)
1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK2Q60D(Q)
- 商品编号
- C5986424
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 280pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.78 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 40 V）
- 增强型：Vth = 2.0 至 3.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
应用领域
- 汽车领域-开关稳压器-DC-DC 转换器-电机驱动器