TK9P65W,RQ
1个N沟道 耐压:650V 电流:9.3A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK9P65W,RQ
- 商品编号
- C5986461
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@10V,4.6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF@300V |
商品特性
- 采用超级结结构DTMOS，漏源极导通电阻低：RDS(ON) = 0.46 Ω（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强型：V_th = 2.5至3.5 V（VDS = 10 V，ID = 0.35 mA）
应用领域
- 开关稳压器