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TPN5900CNH,L1Q
1个N沟道 耐压:150V 电流:9A
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- 描述
- 特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 2.6 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 50 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IRSS = 10 μA（最大值）(VDS = 150 V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用：高效DC-DC转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN5900CNH,L1Q
- 商品编号
- C5986860
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@10V,4.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 39W；700mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@75V |
商品特性
- 采用小型薄封装，占用空间小
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 17 mΩ（典型值）（VGS = -10 V）
- 低漏电流：IDSS = -10 μA（最大值）（VDS = -30 V）
- 增强型模式：Vth = -0.8 至 -2.0 V（VDS = -10 V，ID = -0.2 mA）
应用领域
- 锂离子二次电池
- 电源管理开关
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