TPH12008NH,L1Q
1个N沟道 耐压:80V 电流:24A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH12008NH,L1Q
- 商品编号
- C5986809
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V,12A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 48W；1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF@40V |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速功率切换
- 符合欧盟RoHS指令2011/65/EU，且符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准，无卤
应用领域
- 电池电源管理
- 或门FET/负载开关
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