TPN4R806PL,L1Q
1个N沟道 耐压:60V 电流:72A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPN4R806PL,L1Q
- 商品编号
- C5986858
- 商品封装
- TSON-8(3.1x3.1)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07956克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,36A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 104W；630mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.77nF@30V |
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)，以最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速功率开关
- 100%进行了单脉冲雪崩耐量（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
- 符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准，且符合WEEE指令2002/96/EC
- 根据IEC 61249-2-21标准，无卤
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电池电源管理
- 负载开关
- 无刷直流（BLDC）电机驱动
相似推荐
其他推荐