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TK100E10N1,S1X
1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK100E10N1,S1X
- 商品编号
- C5986394
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,50A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8nF@50V |
商品特性
- 第三代芯片设计（内置碳化硅肖特基势垒二极管）
- 低二极管正向电压：VDSF = -1.35V（典型值）
- 高电压：VDSS = 1200V
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 60mΩ（典型值）
- 由于高阈值电压，不易发生故障：Vth = 3.0 至 5.0V（VDS = 10V，ID = 4.2mA）
- 增强型模式。
应用领域
- 开关稳压器