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S25HL512TFABHB010

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S25HL512TFABHB010
商品编号: C5904914
商品封装: BGA-24(6x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH

	属性	参数值
	功能特性	硬件写保护；ECC纠错；上电复位

商品特性

CYPRESS™ 45纳米MIRRORBIT™技术，可在每个存储阵列单元中存储两位数据
扇区架构选项：
- 统一架构：地址空间由所有256KB扇区组成
- 混合配置1：地址空间由32个4KB扇区组成，这些扇区集中在顶部或底部，其余扇区均为256KB
- 混合配置2：地址空间由32个4KB扇区组成，这些扇区平均分布在顶部和底部，其余扇区均为256KB
256或512字节的页面编程缓冲区
1024字节（32×32字节）的一次性可编程（OTP）安全硅阵列
四路SPI接口：
- 支持1S - 1S - 4S、1S - 4S - 4S、1S - 4D - 4D、4S - 4S - 4S、4S - 4D - 4D协议
- 单数据率（SDR）选项最高运行速度可达83Mbps（166MHz时钟速度）
- 双数据率（DDR）选项最高运行速度可达102Mbps（102MHz时钟速度）
双SPI接口：
- 支持1S - 2S - 2S协议
- SDR选项最高运行速度可达41.5Mbps（166MHz时钟速度）
SPI接口：
- 支持1S - 1S - 1S协议
- SDR选项最高运行速度可达21Mbps（166MHz时钟速度）
功能安全特性：
- 具备业界首个符合ISO26262 ASIL B标准且支持ASIL D的功能安全NOR闪存
- Infineon® Endurance Flex架构提供高耐久性和长数据保留分区
- 数据完整性循环冗余校验（CRC）可检测存储阵列中的错误
- SafeBoot可报告设备初始化失败、检测配置损坏并提供恢复选项
- 内置纠错码（ECC）可纠正存储阵列数据中的单比特错误并检测双比特错误（SECDED）
- 扇区擦除状态指示器可在擦除过程中检测掉电情况
保护特性：
- 传统块保护功能，可保护存储阵列和设备配置
- 高级扇区保护功能，可对单个存储阵列扇区进行保护
自动启动（AutoBoot）功能，可在通电后立即访问存储阵列
通过片选（CS#）信号方法（JEDEC标准）/独立复位（RESET#）引脚/DQ3_RESET#引脚进行硬件复位
串行闪存可发现参数（SFDP），用于描述设备功能和特性
设备识别、制造商识别和唯一识别功能
数据完整性：
- 256Mb设备：主阵列的最小编程 - 擦除循环次数为640,000次
- 512Mb设备：主阵列的最小编程 - 擦除循环次数为1,280,000次
- 1Gb设备：主阵列的最小编程 - 擦除循环次数为2,560,000次
- 所有设备：4KB扇区的最小编程 - 擦除循环次数为300,000次，数据保留时间至少为25年
性能概述：
- 电源电压：1.7V至2.0V（HS - T）；2.7V至3.6V（HL - T）
- 等级/温度范围：工业级（-40°C至+85°C）；工业增强级（-40°C至+105°C）；汽车AEC - Q100 3级（-40°C至+85°C）；汽车AEC - Q100 2级（-40°C至+105°C）；汽车AEC - Q100 1级（-40°C至+125°C）
- 封装形式：
  - 256MB和512MB：16引脚SOIC（300mil） - SO3016；24球BGA 6×8mm；16引脚SOIC（300mil）；8触点WSON 6×8mm
  - 1GB：16引脚SOIC（300mil） - SO3016；24球BGA 8×8mm；16引脚SOIC（300mil）

数据手册PDF

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