S26HS01GTGABHV030

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S26HS01GTGABHV030
商品编号: C5904943
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.335克(g)

商品参数

商品特性

采用45纳米存储技术，每个存储阵列单元可存储两位数据
提供统一和混合两种扇区架构选项，混合架构包含特定数量的4KB扇区和256KB扇区
具备256或512字节的页编程缓冲区
提供1024字节（32×32字节）的一次性可编程安全硅区域
接口符合JEDEC扩展SPI标准，支持高速DDR模式（最高400MBps）和传统SPI模式（最高21MBps）
支持默认从传统SPI或HYPERBUS接口启动
功能安全特性符合ISO26262标准，支持ASIL B等级并具备ASIL D能力
提供高耐久度和长数据保持分区
接口CRC用于检测主机控制器与设备之间的通信错误
数据完整性CRC用于检测存储阵列中的错误
提供启动故障报告、配置损坏检测及恢复选项
内置错误校正码，可纠正存储阵列数据的单位错误并检测双位错误
提供擦除过程中电源掉电的扇区擦除状态指示
支持基于单个存储阵列扇区的保护功能
上电后可立即访问存储阵列
支持通过CS#信号方法和独立RESET#引脚进行硬件复位
提供描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数
256Mb器件主阵列的最小编程擦除周期为640,000次
512Mb器件主阵列的最小编程擦除周期为1,280,000次
1Gb器件主阵列的最小编程擦除周期为2,560,000次
所有器件4KB扇区的最小编程擦除周期为300,000次
所有器件的最小数据保持时间为25年
工作电压范围：1.7V至2.0V（HS-T）或2.7V至3.6V（HL-T）
提供多种工业级和汽车级温度范围，从-40℃至+125℃
256Mb和512Mb器件采用24球BGA，尺寸为6×8毫米
1Gb器件采用24球BGA，尺寸为8×8毫米

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.7V~2V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位