S28HS01GTGZBHA033

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: S28HS01GTGZBHA033
商品编号: C5904957
商品封装: FBGA-24(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.166克(g)

商品参数

商品概述

该产品系列是符合 JEDEC JESD251 扩展 SPI 规范的高速 CMOS MIRRORBIT NOR 闪存。产品设计符合 ISO 26262 标准，支持 ASIL-B 并适用于 ASIL-D 应用。具备八线接口的器件支持八线外设接口和传统串行外设接口，两种接口均采用顺序事务传输，减少了接口连接信号的数量。SPI 支持单倍数据速率，而八线接口同时支持单倍和双倍数据速率。读取操作以突发为导向，读取事务可配置为回绕或线性突发模式。回绕模式从单一位置读取，而线性突发模式可读取整个存储阵列。每个存储位的擦除状态为逻辑 1，编程操作只能将逻辑 1 变为逻辑 0，只有擦除操作能将位从 0 改回 1。擦除操作必须针对整个扇区进行。

商品特性

采用 45nm MIRRORBIT 技术，每个存储单元可存储 2 位数据
地址空间由 256 KB 扇区构成
配置规则 1：地址空间顶部或底部包含 32 个 4KB 扇区，其余部分为完整的 256KB 扇区
配置规则 2：地址空间顶部和底部均等地包含 32 个 4KB 扇区
256 或 512 字节的页编程缓冲区
1024 位的 OTP 安全硅阵列
八线接口
符合 JEDEC 扩展串行外设接口规范
单倍数据速率模式下最高速度达 200 MBps
双倍数据速率模式下最高速度达 400 MBps
支持数据选通信号，简化高速串行接口上的读取数据采集
串行外设接口
符合 JEDEC 扩展串行外设接口规范
单倍数据速率模式下最高速度达 21 MBps
安全功能：符合 ISO26262 ASIL B 标准并适用于 ASIL D 的安全功能
耐久性灵活分区：提供高耐久性或长期数据保持的分区选项
接口循环冗余校验：检测控制器与闪存之间通信帧的错误
数据完整性循环冗余校验：检测存储阵列中的错误
内置错误校正码：对存储阵列数据执行单比特错误校正和双比特错误检测
指示擦除过程中断电的扇区擦除状态指示器
保护功能：存储阵列和器件配置的永久性块保护
保护功能：基于单个存储扇区的高级扇区保护
自动启动：上电后实现存储器的即时访问
通过片选引脚或单独的复位引脚进行硬件复位
描述器件功能和特性的可发现串行闪存参数
器件标识、制造商标识、标识
数据完整性：256 Mb 器件主阵列支持最小 640,000 次编程/擦除周期
数据完整性：512 Mb 器件主阵列支持最小 1,280,000 次编程/擦除周期
数据完整性：1 Gb 器件主阵列支持最小 2,560,000 次编程/擦除周期
数据完整性：所有器件的 4KB 扇区支持最小 300,000 次编程/擦除周期
数据完整性：至少 25 年的数据保持期
电源电压：1.7V ~ 2.0V
电源电压：2.7V ~ 3.6V
工业级温度范围：-40℃ ~ +85℃
工业扩展级温度范围：-40℃ ~ +105℃
符合 AEC-Q100 3 级标准的汽车应用温度范围：-40℃ ~ +85℃
符合 AEC-Q100 2 级标准的汽车应用温度范围：-40℃ ~ +105℃
符合 AEC-Q100 1 级标准的汽车应用温度范围：-40℃ ~ +125℃
256 Mb 和 512 Mb 器件封装：24 球 BGA，6×8mm
1 Gb 器件封装：24 球 BGA，8×8mm

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.7V~2V

	属性	参数值
	页写入时间(Tpp)	1.7ms
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	ECC纠错；上电复位